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ENS - PC 2009
Physique 2 :
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| Sujet | ||
| Propriétés électriques d'un matériau semiconducteur : semiconducteur intrinsèque ; semiconducteur dopé ; constante d'équilibre Etude de la photorésistance : phénomène d'absorption ; réponse temporelle de la photorésistance ; comparaison du modèle aux résultats expérimentaux Etude de la jonction PN : jonction PN à l'équilibre (propriétés électrostatiques de la ZCE ; potentiel de diffusion VD) ; jonction PN hors équilibre, en régime stationnaire (capacité de transition ; comparaison des variations relatives de concentration des majoritaires et minoritaires ; traversée de la zone de charge d'espace ; diffusion-recombinaison en zones neutres ; accès à la caractéristique courant-tension) ; modèle de la jonction en régime dynamique (traversée de la ZCE ; zones de diffucion-recombinaison hors ZCE ; impédance de la jonction) Énoncé : http://b.louchart.free.fr/Documents/CE/01/ENS/PC_2009_Physique_2_Enonce.pdf Rapport du jury : http://b.louchart.free.fr/Documents/CE/01/ENS/PC_2009_Physique_2_Rapport_jury.pdf |
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